回复61楼:俺是指速度上没有质的区别，因为沟道短漏电就严重，所以为了减少漏电就只好增加管子的阈值，所以速度的增加就没那么大了。人家投那么多钱研发是因为可以增加集成度，对fab来说利润更高，更适合移动设备的趋势。但若不是太在乎那点尺寸的区别而注重速度与性能（比如军用），当然硅锗或其他3、5族工艺更有优势。

我挺怀疑你是否真的像你说的在美国工作过，或者我很怀疑你有理工科硕士或者博士学位，我也很肯定你没在国外上过学。否则你不会用纯外行的语言描述你说的技术问题。。。简单说, overall performance of CPU is defined by clock rate. clock rate从device来说最核心就是缩短critical path,这其实是shrink transistor最根本也是最无法回避的原因。第二，semiconductor 材料特性决定了它受热就会slow down + high leakage,因此high chance to fail。但是大尺寸的transistor必然会有high power consumption，这些excessive power会变成phonon然后加热chip。小的transistor, per transistor power consumption 低得多，更不容易发热也更稳定。第三，如果你想做到overall high computing speed和multi funtional,你必须集成大量transistor，但是你不希望把电路板做大，或者几块CPU串起来，所以唯一解决途径就是在单位面积上做更多transistor。这些不是大学就该教的基础吗？你说的fab利润，那都是很靠后面的因素了