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评论人:Robin_Snow [★品衔R5★] [个人频道] [个人动态] 发送时间: 2023年02月01日 21:29:39 【回复】
 回复68楼:我挺怀疑你是否真的像你说的在美国工作过,或者我很怀疑你有理工科硕士或者博士学位,我也很肯定你没在国外上过学。否则你不会用纯外行的语言描述你说的技术问题。。。简单说, overall performance of CPU is defined by clock rate. clock rate从device来说最核心就是缩短critical path,这其实是shrink transistor最根本也是最无法回避的原因。第二,semiconductor 材料特性决定了它受热就会slow down + high leakage,因此high chance to fail。但是大尺寸的transistor必然会有high power consumption,这些excessive power会变成phonon然后加热chip。小的transistor, per transistor power consumption 低得多,更不容易发热也更稳定。第三,如果你想做到overall high computing speed和multi funtional,你必须集成大量transistor,但是你不希望把电路板做大,或者几块CPU串起来,所以唯一解决途径就是在单位面积上做更多transistor。这些不是大学就该教的基础吗?你说的fab利润,那都是很靠后面的因素了
   
↓↓↓ 共 1 条评论 ↓↓↓
评论人:意见没 [★品衔R6★] [个人频道] [个人动态] 发送时间: 2023年02月02日 0:13:51 【回复】
1)俺实在跟你说到现在deep sub-micro工艺后,channel length的减小比如一半,并不会让transistor的速度也增加一倍,往往一半也不到,是一受考虑到leakage (特别是高温非常显著)的影响,二是hot electron effect等;2)俺说了“更适合移动设备的趋势”,当然包括面积及功耗等。但一个电路的速度不光取决于管子的速度本身,还取决于它所驱动的下一级以及绕线的寄生。现在这种高集成度的deep sub-micro芯片由于层与层之间以及同层绕线之间寄生会非常显著,再加上(数字的话)时钟速度快,这需要transistor以及绕线有非常大的充放电电流,由于electron migration以及上述热电子效应等,会影响芯片的寿命及可靠性。3)速度的提高不止有用小尺寸transistor一条路,也可以通过电路的设计以及系统优化等得到。比如像我们现在正设计的芯片(4GHz时钟速度),多年前就有用0.13um做到1-20GHz速度的了,虽然编码没有我们的复杂。另外,比如现在的人工智能,很多公司,比如NVIDIA(当然他们不是做纯人工智能芯片)是用数字来实现所以追求最先进工艺,但速度更快有更省电的办法却是用模拟来实现,因为在模拟里两个信号相加减或乘除可以用很简单的电路一步操作。4)大学里只能学到“正规”的理论,但很多东西只有在实际中才能遇到并体会到。
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新闻评论原文:美国会推法:废除中国永久性正常贸易关系地位(图)
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